為什么隔墊流失和柱流失是不同的問題。我的固定答案是隔墊流失的基峰為 m/z 73，色譜柱流失的基峰為 m/z 207，我們可以用 GC-MS 證明這一點。請記住，色譜柱排放物和隔墊排放物均由環(huán)狀硅氧烷組成，這引出了使它們不同的問題。
隔墊流失的一個被忽視的區(qū)域是樣品瓶隔墊，雖然不太常見，但即使在運行了幾次空白后，它仍會出現尖銳的重復峰。準備單獨的 PTFE 內襯樣品瓶可以zui大限度地減少或消除樣品瓶中的隔墊滲漏
(1) 使用小瓶插入物時，問題可能會被夸大，并且還會降解目標化合物；例如 Endrin & DDT
(2) 除了濃縮樣品中的污染物外，穿刺后的蒸發(fā)損失還會導致高偏差。取芯，無論是來自樣品瓶還是進樣口隔墊，都會導致硅氧烷數量增加，從而表現為“鬼”峰。錐形 23s-26s 針頭可zui大限度地減少進樣口襯管中的隔墊顆粒。使用 Merlin Microseal 可以減少流失并消除取芯的可能性，并且可以降低入口中的活性 (3,4,5,6)。
圖 1：與提取離子色譜圖 (EIC) m/z 73 和 m/z 207 疊加的總離子色譜圖 (TIC)。
既然我們知道如何zui大限度地減少隔墊流失，讓我們通過查看色譜圖來了解色譜柱流失和隔墊流失之間的區(qū)別。圖 1 中的色譜圖是儀器在周末閑置后的第1次運行。柱溫箱溫度設置為 35°C，這意味著載氣中的任何污染物（隔墊流出物）都集中在柱頭。黑色跡線是總離子色譜圖 (TIC)，而紅色跡線代表 m/z 73，藍色跡線代表 m/z 207。首先注意 m/z 73 是離散峰，即分析物集中在柱頭并在程序升溫分析過程中分配進出固定相。另一方面，色譜柱流失顯示為基線上升，并且是硅氧烷的混合物。
圖 2：D3 和 D4 環(huán)硅氧烷的質譜圖，EIC 代表柱流失（藍色跡線 m/z 207）和隔墊流失（紅色跡線 m/z 73）。
圖 2：聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 固定相的降解主要形成兩種環(huán)狀硅氧烷；六甲基環(huán)三硅氧烷（D3）和八甲基環(huán)四硅氧烷（D4）。這兩種硅氧烷的組合產生了獨特的 m/z 207 和 m/z 281。請注意，與全部共享 m/z 73 的較大環(huán)狀硅氧烷相比，碎片化導致 m/z 73 的豐度較低。基峰（圖 3）。以 m/z 73 的 EIC（紅色跡線）表示的隔墊流失具有一系列較高分子量的環(huán)狀硅氧烷，從 D7 到 D10（及以上）。
圖 3：基峰為 m/z 73 的隔墊流失的典型光譜
隔墊滲漏通常會被識別為上述光譜之一，尤其是當掃描范圍限于 m/z 550 時。存在較高分子量的硅氧烷，但由于目標光譜超過 550 原子質量單位 (AMU)，因此無法正確識別。
識別硅氧烷的來源使故障排除變得更加容易。雖然隔墊流失和色譜柱流失確實是一樣的；也就是說，它們都是由環(huán)狀硅氧烷組成，分子量相差很大，導致光譜不同。
